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SIHA125N60EF-GE3

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SIHA125N60EF-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SIHA125N60EF-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 976 piece(s)
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Spécifications SIHA125N60EF-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesEF
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1533 pF @ 100 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)179W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs125mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220 Full Pack
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

SIHA125N60EF-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SIHA125N60EF-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SIHA125N60EF-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIHA125N60EF-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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