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SIDR680DP-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SIDR680DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 62 505 piece(s)
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Spécifications SIDR680DP-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen IV
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C32.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5150 pF @ 40 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.9mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8DC
Paquet / casPowerPAK® SO-8

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Sealing
Packing
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SIDR680DP-T1-GE3 FAQ

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