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SIDR626DP-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SIDR626DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SIDR626DP-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen IV
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C42.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs102 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5130 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.7mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8DC
Paquet / casPowerPAK® SO-8

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Sealing
Packing
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SIDR626DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SIDR626DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SIDR626DP-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SIDR626DP-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SIDR626DP-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SIDR626DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SIDR626DP-T1-GE3?
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