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SICW040N120Y4-BP

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Pour Référence Seulement

Référence SICW040N120Y4-BP
Fabricant Micro Commercial Co
Description SCHOTTKY DIODES
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SICW040N120Y4-BP

FabricantMicro Commercial Co
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C63A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2225 pF @ 1000 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)390W
Rds sur (max) @ id, vgs52mOhm @ 40A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4
Paquet / casTO-247-4

SICW040N120Y4-BP Packaging

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Sealing
Packing
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SICW040N120Y4-BP FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SICW040N120Y4-BP is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SICW040N120Y4-BP price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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