Name: SIA917DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA917DJ-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

SIA917DJ-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SIA917DJ-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Fiche technique	SIA917DJ-T1-GE3 Fiche technique
paquet	PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
En stock	307 764 piece(s)
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Spécifications SIA917DJ-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	PowerPAK? SC-70-6 Dual
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.5A
Rds sur (max) @ id, vgs	110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Puissance - Max	6.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK? SC-70-6 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK? SC-70-6 Dual

SIA917DJ-T1-GE3 fiche technique

SIA917DJ-T1-GE3 Packaging

SIA917DJ-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SIA917DJ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SIA917DJ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SIA917DJ-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SIA917DJ-T1-GE3 Produits Connexes

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SIA917DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, SC-70, Transistor Polarity:Dual P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.5A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):185mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:12V, Threshold Voltage Vgs:-1V , RoHS Compliant: Yes

1869

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SIA917DJ-T1-GE3

D# SIA917DJ-T1-GE3TR-ND

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MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

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VBsemi Electronics Co Ltd

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