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SI8819EDB-T2-E1

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SI8819EDB-T2-E1

Pour Référence Seulement

Référence SI8819EDB-T2-E1
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 460 piece(s)
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Spécifications SI8819EDB-T2-E1

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)12 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.9A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 6 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)900mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paquet / cas4-XFBGA

SI8819EDB-T2-E1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI8819EDB-T2-E1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI8819EDB-T2-E1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI8819EDB-T2-E1?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MAX3387EEUG+T

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