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SI7925DN-T1-GE3

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SI7925DN-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI7925DN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Fiche technique

SI7925DN-T1-GE3 Fiche technique

paquet PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
En stock 6 816 piece(s)
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Spécifications SI7925DN-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquetPowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.8A
Rds sur (max) @ id, vgs42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.3W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casPowerPAK? 1212-8 Dual
Package de périphérique fournisseurPowerPAK? 1212-8 Dual

SI7925DN-T1-GE3 fiche technique

SI7925DN-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI7925DN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7925DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7925DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7925DN-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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