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SI7911DN-T1-E3

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Pour Référence Seulement

Référence SI7911DN-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI7911DN-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.2A
Rds sur (max) @ id, vgs51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.3W
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casPowerPAK® 1212-8 Dual
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® 1212-8 Dual

SI7911DN-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7911DN-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7911DN-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI7911DN-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI7911DN-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI7911DN-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI7911DN-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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