Name: SI7911DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7911DN-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (195 reviews)

SI7911DN-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI7911DN-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 22 - déc. 27 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI7911DN-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.2A
Rds sur (max) @ id, vgs	51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.3W
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8 Dual

SI7911DN-T1-E3 Packaging

SI7911DN-T1-E3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI7911DN-T1-E3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI7911DN-T1-E3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI7911DN-T1-E3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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