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SI7842DP-T1-GE3

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SI7842DP-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI7842DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Fiche technique

SI7842DP-T1-GE3 Fiche technique

paquet PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
En stock 55 824 piece(s)
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Spécifications SI7842DP-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquetPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SériesLITTLE FOOT?
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.3A
Rds sur (max) @ id, vgs22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.4W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casPowerPAK? SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseurPowerPAK? SO-8 Dual

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SI7842DP-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI7842DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7842DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7842DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7842DP-T1-GE3?
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