Name: SI7794DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7794DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

SI7794DP-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI7794DP-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
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Temps de livraison estimé	nov. 15 - nov. 20 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI7794DP-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	28.6A (Ta), 60A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2520 pF @ 15 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)	5W (Ta), 48W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.4mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SO-8
Paquet / cas	PowerPAK® SO-8

SI7794DP-T1-GE3 Packaging

SI7794DP-T1-GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI7794DP-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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