Name: SI7615BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7615BDN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (92 reviews)

SI7615BDN-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI7615BDN-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 23 - déc. 28 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI7615BDN-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Ta), 104A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4890 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	5.2W (Ta), 66W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8

SI7615BDN-T1-GE3 Packaging

SI7615BDN-T1-GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI7615BDN-T1-GE3.

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