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SI7476DP-T1-GE3

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SI7476DP-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI7476DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Fiche technique

SI7476DP-T1-GE3 Fiche technique

paquet PowerPAK? SO-8
ECAD
En stock 63 972 piece(s)
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Spécifications SI7476DP-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetPowerPAK? SO-8
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C15A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs177nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.9W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs5.3 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK? SO-8
Paquet / casPowerPAK? SO-8

SI7476DP-T1-GE3 fiche technique

SI7476DP-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI7476DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7476DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7476DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7476DP-T1-GE3?
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SI7476DP-T1-GE3 Produits Connexes

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