| Référence | SI7462DP-T1-E3 |
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| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Description | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 |
| Fiche technique | |
| paquet | - |
| ECAD |
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| En stock | 0 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | juin 5 - juin 10 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | - |
| ECAD |
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| Séries | - |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 200 V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 |
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