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SI7190ADP-T1-RE3

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Pour Référence Seulement

Référence SI7190ADP-T1-RE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI7190ADP-T1-RE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesThunderFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)250 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs22.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 100 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs102mOhm @ 4.3A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / casPowerPAK® SO-8

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Packing
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SI7190ADP-T1-RE3 FAQ

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  • 3. Are the SI7190ADP-T1-RE3 price and inventory displayed accurate?
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