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SI6973DQ-T1-GE3

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SI6973DQ-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI6973DQ-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Fiche technique

SI6973DQ-T1-GE3 Fiche technique

paquet 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
En stock 35 604 piece(s)
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Spécifications SI6973DQ-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.1A
Rds sur (max) @ id, vgs30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max830mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-TSSOP

SI6973DQ-T1-GE3 fiche technique

SI6973DQ-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI6973DQ-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6973DQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI6973DQ-T1-GE3?
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