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SI6463BDQ-T1-E3

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SI6463BDQ-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence SI6463BDQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI6463BDQ-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-TSSOP
Paquet / cas8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6463BDQ-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI6463BDQ-T1-E3 FAQ

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