Name: SI6463BDQ-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6463BDQ-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (160 reviews)

SI6463BDQ-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI6463BDQ-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 23 - déc. 28 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI6463BDQ-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Rds sur (max) @ id, vgs	15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSSOP
Paquet / cas	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6463BDQ-T1-E3 Packaging

SI6463BDQ-T1-E3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI6463BDQ-T1-E3.

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