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SI6459BDQ-T1-GE3

SI6459BDQ-T1-GE3

SI6459BDQ-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI6459BDQ-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
Fiche technique

SI6459BDQ-T1-GE3 Fiche technique

paquet 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
En stock 3 120 piece(s)
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Spécifications SI6459BDQ-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs115 mOhm @ 2.7A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-TSSOP
Paquet / cas8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6459BDQ-T1-GE3 fiche technique

SI6459BDQ-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6459BDQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI6459BDQ-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI6459BDQ-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI6459BDQ-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI6459BDQ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI6459BDQ-T1-GE3?
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