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SI4668DY-T1-E3

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SI4668DY-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence SI4668DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Fiche technique

SI4668DY-T1-E3 Fiche technique

paquet 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Spécifications SI4668DY-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C16.2A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1654pF @ 15V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs10.5 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SO
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4668DY-T1-E3 fiche technique

SI4668DY-T1-E3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI4668DY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4668DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4668DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of SI4668DY-T1-E3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4668DY-T1-E3?
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