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SI4500BDY-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SI4500BDY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI4500BDY-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.6A, 3.8A
Rds sur (max) @ id, vgs20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.3W
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SOIC

SI4500BDY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4500BDY-T1-GE3 FAQ

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