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SI4462DY-T1-GE3

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SI4462DY-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI4462DY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Fiche technique

SI4462DY-T1-GE3 Fiche technique

paquet 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En stock 3 776 piece(s)
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Spécifications SI4462DY-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.15A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.3W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs480 mOhm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SO
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4462DY-T1-GE3 fiche technique

SI4462DY-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI4462DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4462DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4462DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4462DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4462DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4462DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4462DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Référence Fabricant Description Stock

SI4462DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 200V, 1.5A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.5A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):480mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

666
Référence Fabricant Description Stock

SI4462DY-T1-GE3

D# SI4462DY-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO

0
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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

290
Référence Fabricant Description Stock

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D# NS-SI4462DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

8779
Référence Fabricant Description Stock

SI4462DYT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

260

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