Name: SI4459BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4459BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (79 reviews)

SI4459BDY-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI4459BDY-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	42 897 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 22 - déc. 27 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI4459BDY-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET® Gen IV
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3490 pF @ 15 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	4.9mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4459BDY-T1-GE3 Packaging

SI4459BDY-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI4459BDY-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI4459BDY-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI4459BDY-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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