Name: SI4413DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4413DDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (155 reviews)

SI4413DDY-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI4413DDY-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 24 - déc. 29 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI4413DDY-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	-
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	114 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4780 pF @ 15 V
Vgs (Max)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Rds sur (max) @ id, vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4413DDY-T1-GE3 Packaging

SI4413DDY-T1-GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI4413DDY-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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