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SI4153DY-T1-GE3

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SI4153DY-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI4153DY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 5 295 piece(s)
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Spécifications SI4153DY-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen III
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 15 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOIC
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4153DY-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI4153DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4153DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4153DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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