Name: SI4004DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4004DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (169 reviews)

SI4004DY-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI4004DY-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 18 - nov. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI4004DY-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 10 V
Vgs (Max)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Rds sur (max) @ id, vgs	13.8mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4004DY-T1-GE3 Packaging

SI4004DY-T1-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI4004DY-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI4004DY-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI4004DY-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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