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SI3529DV-T1-E3

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SI3529DV-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence SI3529DV-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Fiche technique

SI3529DV-T1-E3 Fiche technique

paquet SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Spécifications SI3529DV-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquetSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN and P-Channel
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.5A, 1.95A
Rds sur (max) @ id, vgs125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds205pF @ 20V
Puissance - Max1.4W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur6-TSOP

SI3529DV-T1-E3 fiche technique

SI3529DV-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI3529DV-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3529DV-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3529DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3529DV-T1-E3?
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SI3529DV-T1-E3 Produits Connexes

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