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SI3475DV-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SI3475DV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI3475DV-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C950mA (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 50 V
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs1.61Ohm @ 900mA, 10V
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-TSOP
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Packing
Insepction

SI3475DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3475DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3475DV-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3475DV-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3475DV-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3475DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3475DV-T1-GE3?
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