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SI3473DDV-T1-GE3

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Pour Référence Seulement

Référence SI3473DDV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 910 piece(s)
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Spécifications SI3473DDV-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET® Gen III
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)12 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C8A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1975 pF @ 6 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.6W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-TSOP
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3473DDV-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI3473DDV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3473DDV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3473DDV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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