Name: SI3460DDV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DDV-T1-BE3
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

SI3460DDV-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI3460DDV-T1-BE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 23 - déc. 28 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI3460DDV-T1-BE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	666 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3460DDV-T1-BE3 Packaging

SI3460DDV-T1-BE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI3460DDV-T1-BE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI3460DDV-T1-BE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3460DDV-T1-BE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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