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SI3460DDV-T1-BE3

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SI3460DDV-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence SI3460DDV-T1-BE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI3460DDV-T1-BE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds666 pF @ 10 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-TSOP
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3460DDV-T1-BE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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SI3460DDV-T1-BE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3460DDV-T1-BE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3460DDV-T1-BE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3460DDV-T1-BE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3460DDV-T1-BE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3460DDV-T1-BE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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