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SI3441BDV-T1-GE3

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SI3441BDV-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI3441BDV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
Fiche technique

SI3441BDV-T1-GE3 Fiche technique

paquet SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Spécifications SI3441BDV-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.45A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)860mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-TSOP
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3441BDV-T1-GE3 fiche technique

SI3441BDV-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI3441BDV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3441BDV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3441BDV-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3441BDV-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3441BDV-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3441BDV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3441BDV-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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  • 7.How to contact us to get technical supports, such as SI3441BDV-T1-GE3 pin diagram, SI3441BDV-T1-GE3 datasheet?
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