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SI3129DV-T1-GE3

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SI3129DV-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI3129DV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI3129DV-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds805 pF @ 40 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-TSOP
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Sealing
Packing
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SI3129DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3129DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3129DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3129DV-T1-GE3?
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