Name: SI2335DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2335DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

SI2335DS-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI2335DS-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Fiche technique	SI2335DS-T1-GE3 Fiche technique
paquet	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Spécifications SI2335DS-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1225pF @ 6V
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	750mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	51 mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2335DS-T1-GE3 fiche technique

SI2335DS-T1-GE3 Packaging

SI2335DS-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI2335DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI2335DS-T1-GE3 pin diagram, SI2335DS-T1-GE3 datasheet?

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SI2335DS-T1-GE3 Produits Connexes

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