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SI2316DS-T1-E3

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SI2316DS-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence SI2316DS-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Fiche technique

SI2316DS-T1-E3 Fiche technique

paquet TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Spécifications SI2316DS-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.9A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)700mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs50 mOhm @ 3.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2316DS-T1-E3 fiche technique

SI2316DS-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI2316DS-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2316DS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2316DS-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2316DS-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2316DS-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2316DS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of SI2316DS-T1-E3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2316DS-T1-E3?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2316DS-T1-E3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2316DS-T1-E3 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as SI2316DS-T1-E3 pin diagram, SI2316DS-T1-E3 datasheet?
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SI2316DS-T1-E3 Produits Connexes

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DWM-34-51-S-D-250 DWM-34-51-S-D-250 Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, TrenchFET? Vue
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Vishay Siliconix

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Vishay Semiconductors

SILICONIX

0
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Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
0
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MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

RoHS: Compliant
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D# 85W2139

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.042ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0

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D# 15AC0292

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
3000
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OEM/CM ONLY

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.9A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236

6752
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Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

25338
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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

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D# 35308905

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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