Name: SI2312BDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2312BDS-T1-BE3
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

SI2312BDS-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI2312BDS-T1-BE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	26 442 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 3 - oct. 8 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI2312BDS-T1-BE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.9A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	750mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	31mOhm @ 5A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2312BDS-T1-BE3 Packaging

SI2312BDS-T1-BE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI2312BDS-T1-BE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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