Name: SI2302DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2302DDS-T1-BE3
Availability: InStock
Rating: 5 (169 reviews)

SI2302DDS-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI2302DDS-T1-BE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 679 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 23 - déc. 28 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI2302DDS-T1-BE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	710mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2302DDS-T1-BE3 Packaging

SI2302DDS-T1-BE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2302DDS-T1-BE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2302DDS-T1-BE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI2302DDS-T1-BE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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