Name: SI1970DH-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1970DH-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (80 reviews)

SI1970DH-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI1970DH-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Fiche technique	SI1970DH-T1-E3 Fiche technique
paquet	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
En stock	5 536 piece(s)
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Spécifications SI1970DH-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.3A
Rds sur (max) @ id, vgs	225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 15V
Puissance - Max	1.25W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	SC-70-6 (SOT-363)

SI1970DH-T1-E3 fiche technique

SI1970DH-T1-E3 Packaging

SI1970DH-T1-E3 FAQ

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Siliconix

DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SC-70, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.3A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):345mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:12V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

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SI1970DH-T1-E3

D# SI1970DH-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

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