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SI1965DH-T1-BE3

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SI1965DH-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence SI1965DH-T1-BE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI1965DH-T1-BE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds120pF @ 6V
Puissance - Max740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurSC-70-6

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Sealing
Packing
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SI1965DH-T1-BE3 FAQ

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