Name: SI1965DH-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1965DH-T1-BE3
Availability: InStock
Rating: 5 (148 reviews)

SI1965DH-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI1965DH-T1-BE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 22 - déc. 27 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SI1965DH-T1-BE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	-
ECAD
Séries	TrenchFET®
Type de FET	MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET	-
Tension de drain à la source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V
Puissance - Max	740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	SC-70-6

SI1965DH-T1-BE3 Packaging

SI1965DH-T1-BE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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