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SI1905BDH-T1-E3

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SI1905BDH-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence SI1905BDH-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Fiche technique

SI1905BDH-T1-E3 Fiche technique

paquet 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Spécifications SI1905BDH-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C630mA
Rds sur (max) @ id, vgs542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds62pF @ 4V
Puissance - Max357mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurSC-70-6 (SOT-363)

SI1905BDH-T1-E3 fiche technique

SI1905BDH-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1905BDH-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1905BDH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1905BDH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1905BDH-T1-E3?
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