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SI1499DH-T1-BE3

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SI1499DH-T1-BE3

Pour Référence Seulement

Référence SI1499DH-T1-BE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SI1499DH-T1-BE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTrenchFET®
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)8 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 4 V
Vgs (Max)±5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs78mOhm @ 2A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSC-70-6
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI1499DH-T1-BE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI1499DH-T1-BE3 FAQ

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