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SI1079X-T1-GE3

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SI1079X-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI1079X-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 970 piece(s)
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Spécifications SI1079X-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.44A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 15 V
Vgs (Max)±12V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)330mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSC-89-6
Paquet / casSOT-563, SOT-666

SI1079X-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI1079X-T1-GE3 FAQ

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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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