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SI1031X-T1-GE3

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SI1031X-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI1031X-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Fiche technique

SI1031X-T1-GE3 Fiche technique

paquet SC-75A
ECAD
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Spécifications SI1031X-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSC-75A
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C155mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±6V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSC-75A
Paquet / casSC-75A

SI1031X-T1-GE3 fiche technique

SI1031X-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI1031X-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1031X-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1031X-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1031X-T1-GE3?
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