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SH63N65DM6AG

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Pour Référence Seulement

Référence SH63N65DM6AG
Fabricant STMicroelectronics
Description MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 138 piece(s)
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Spécifications SH63N65DM6AG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
SériesECOPACK®
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C53A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs64mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3344pF @ 100V
Puissance - Max424W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas9-PowerSMD
Package de périphérique fournisseur9-ACEPACK SMIT

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Packing
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SH63N65DM6AG FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SH63N65DM6AG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SH63N65DM6AG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SH63N65DM6AG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SH63N65DM6AG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SH63N65DM6AG?
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