Name: SCTWA35N65G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTWA35N65G2VAG
Availability: InStock
Rating: 5 (103 reviews)

SCTWA35N65G2VAG

Pour Référence Seulement

Référence	SCTWA35N65G2VAG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	SICFET N-CH 650V 45A TO247
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 1 - oct. 6 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SCTWA35N65G2VAG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 400 V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	72mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247 Long Leads
Paquet / cas	TO-247-3

SCTWA35N65G2VAG Packaging

SCTWA35N65G2VAG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SCTWA35N65G2VAG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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