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SCTWA35N65G2VAG

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Pour Référence Seulement

Référence SCTWA35N65G2VAG
Fabricant STMicroelectronics
Description SICFET N-CH 650V 45A TO247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SCTWA35N65G2VAG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C45A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 400 V
Vgs (Max)+20V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)208W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs72mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247 Long Leads
Paquet / casTO-247-3

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Packing
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SCTWA35N65G2VAG FAQ

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