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SCTW40N120G2VAG

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Pour Référence Seulement

Référence SCTW40N120G2VAG
Fabricant STMicroelectronics
Description SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SCTW40N120G2VAG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C33A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1230 pF @ 800 V
Vgs (Max)+22V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)290W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs105mOhm @ 20A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurHiP247™
Paquet / casTO-247-3

SCTW40N120G2VAG Packaging

Customized Labels
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Packing
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SCTW40N120G2VAG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SCTW40N120G2VAG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SCTW40N120G2VAG price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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