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SCTW100N65G2AG

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Pour Référence Seulement

Référence SCTW100N65G2AG
Fabricant STMicroelectronics
Description SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SCTW100N65G2AG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs162 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3315 pF @ 520 V
Vgs (Max)+22V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)420W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs26mOhm @ 50A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurHiP247™
Paquet / casTO-247-3

SCTW100N65G2AG Packaging

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Sealing
Packing
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SCTW100N65G2AG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SCTW100N65G2AG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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