Name: SCTH35N65G2V-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTH35N65G2V-7AG
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

SCTH35N65G2V-7AG

Pour Référence Seulement

Référence	SCTH35N65G2V-7AG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SCTH35N65G2V-7AG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 400 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	67mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	H2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

SCTH35N65G2V-7AG Packaging

SCTH35N65G2V-7AG FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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