Name: SCT060HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT060HU75G3AG
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

SCT060HU75G3AG

Pour Référence Seulement

Référence	SCT060HU75G3AG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 4 - juil. 9 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SCT060HU75G3AG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	750 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	680 pF @ 400 V
Vgs (Max)	4.2V @ 1mA
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	185W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	78mOhm @ 15A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	HU3PAK
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

SCT060HU75G3AG Packaging

SCT060HU75G3AG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SCT060HU75G3AG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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