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SCT055W65G3-4AG

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SCT055W65G3-4AG

Pour Référence Seulement

Référence SCT055W65G3-4AG
Fabricant STMicroelectronics
Description TO247-4
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications SCT055W65G3-4AG

FabricantSTMicroelectronics
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id4.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds721 pF @ 40 V
Vgs (Max)+18V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)210W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs72mOhm @ 15A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4
Paquet / casTO-247-4

SCT055W65G3-4AG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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