Name: SCT040H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT040H65G3AG
Availability: InStock
Rating: 5 (130 reviews)

SCT040H65G3AG

Pour Référence Seulement

Référence	SCT040H65G3AG
Fabricant	STMicroelectronics
Description	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 2 - déc. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications SCT040H65G3AG

Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39.5 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 400 V
Vgs (Max)	+18V, -5V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	221W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	55mOhm @ 20A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	H2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

SCT040H65G3AG Packaging

SCT040H65G3AG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SCT040H65G3AG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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