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S2M0160120K

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Pour Référence Seulement

Référence S2M0160120K
Fabricant SMC Diode Solutions
Description MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 900 piece(s)
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Spécifications S2M0160120K

FabricantSMC Diode Solutions
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C17A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs26.5 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds513 pF @ 1000 V
Vgs (Max)+20V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)130W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs196mOhm @ 10A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4
Paquet / casTO-247-4

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Sealing
Packing
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S2M0160120K FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that S2M0160120K is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the S2M0160120K price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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IXGX120N60B

IGBT 600V 200A 660W TO247

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DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

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ST16C2552IJ44TR-F

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC

74HC14DR2G

IC INVERTER HEX SCHMITT 14-SOIC

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