Name: RV8L002SNHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RV8L002SNHZGG2CR
Availability: InStock
Rating: 5 (101 reviews)

RV8L002SNHZGG2CR

Pour Référence Seulement

Référence	RV8L002SNHZGG2CR
Fabricant	Rohm Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	19 356 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 29 - déc. 4 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications RV8L002SNHZGG2CR

Fabricant	Rohm Semiconductor
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	250mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	2.4Ohm @ 250mA, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DFN1010-3W
Paquet / cas	3-XFDFN

RV8L002SNHZGG2CR Packaging

RV8L002SNHZGG2CR FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RV8L002SNHZGG2CR.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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